SSD - Революция на рынке накопителей информации

[Админ]

Вы слышали об SSD - Solid-State Drive - твердотельные накопители? Новая технология более знакомая нам по "флэшкам", когда в небольшом flash-drive отсутствуют подвижные части, происходит быстрое подключение и минимальные затраты энергии.

Данная технология идет на смену стандартным жестким дискам - HDD - Hard Disk Drives - Накопителям на Жестких Магнитных Дисках (НЖМД)... уже сейчас...

Полезная информация:
Общая информация о Твердотельных накопителях (англ. SSD, Solid State Drive, Solid State Disk)
Анализ дисков и выводы специалистов

Спасибо.

[Админ]

Вот, что пишет Википедия:

Твердотельный накопитель (англ. SSD, Solid State Drive, Solid State Disk) — энергонезависимое, перезаписываемое компьютерное запоминающее устройство без движущихся механических частей. Следует различать твердотельный накопители основанные на использовании энергозависимой (RAM SSD) и энергонезависимой (NAND или Flash SSD) памяти.

Последние являются весьма перспективной разработкой. Многие аналитики считают, что уже в ближайшие годы NAND твердотельные накопители займут достаточно большую долю рынка накопителей, отвоевав её у накопителей на жёстких магнитных дисках. По состоянию на сегодняшний день, твердотельные накопители используются в основном в специализированных вычислительных системах и в некоторых моделях ноутбуков (например, ASUS Eee PC).

История развития

• Первые накопители подобного типа (на ферритовых сердечниках) были созданы еще для ламповых вычислительных машин. Однако с появлением барабанных, а затем и дисковых накопителей вышли из употребления из-за чрезвычайно высокой стоимости.
• В 1978 компания StorageTek разработала первый твердотельный накопитель современного типа (основанный на RAM-памяти).
• В 1995 компания M-Systems представила первый твердотельный накопитель на flash-памяти.
• 20.06.2008 Южнокорейской компании Mtron Storage Technology удалось создать SSD диск со скоростью записи 240 МБ/с и скоростью чтения 260 МБ/с, который она продемонстрировала на выставке в Сеуле. Объём данного накопителя — 128 ГБ. По заявлению компании выпуск таких устройств начнётся уже в 2009 году.

Архитектура и функционирование

RAM SSD
Эти накопители, построенные на использовании энергозависимой памяти (такой же, какая используется в ОЗУ персонального компьютера) характеризуются сверхбыстрыми чтением, записью и поиском информации. Основным их недостатком является чрезвычайно высокая стоимость (от 80 до 800 долларов США за Гигабайт). Используются, в основном, для ускорения работы крупных систем управления базами данных и мощных графических станций. Такие диски, как правило, оснащены аккумуляторами для сохранения данных при потере питания, а более дорогие модели — системами резервного и/или оперативного копирования.

Своеобразной разновидностью таких дисков является RIndMA диск — подключенный быстрым сетевым соединением вторичный ПК с программным RAM-диском. Такой диск стоит на порядок дешевле специализированных решений, но не рекомендуется для использования в критичных к потере данных приложениях.

NAND SSD
Накопители, построенные на использовании энергонезависимой памяти (NAND SSD) появились относительно недавно, но в связи с гораздо более низкой стоимостью (3-10 долларов США за Гигабайт) начали уверенное завоевание рынка. До недавнего времени существенно уступали традиционным накопителям в чтении и записи, но компенсировали это (особенно при чтении) высокой скоростью поиска информации (сопоставимой со скоростью RAM-дисков). Сейчас уже выпускаются твердотельные Flash диски со скоростью чтения и записи сопоставимой с традиционными и разработаны модели существенно их превосходящие (ожидаются к выпуску в начале 2009 года). Характеризуются относительно небольшими размерами и низким энергопотреблением. Уже практически полностью завоевали рынок ускорителей баз данных среднего уровня и начинают теснить традиционные диски в мобильных приложениях.

Преимущества по сравнению с жесткими дисками

• более высокая скорость запуска, переход Power On - Ready 1 с;
• отсутствие движущихся частей;
• латентность в режиме чтения 85 мкс;
• латентность в режиме записи 115 мкс;
• производительность, чтение до 250 Мб/с;
• производительность, запись до 170 Мб/с;
• низкая потребляемая мощность;
• полное отсутствие шума от движущихся частей и охлаждающих вентиляторов;
• высокая механическая стойкость;
• широкий диапазон рабочих температур;
• практически устойчивое время считывания файлов вне зависимости от их расположения или фрагментации;
• малый размер и вес;
• совместимость с SATA-I, SATA-2.

Недостатки твердотельных накопителей

• высокая цена за 1 Гб (от 8 долларов за гигабайт);
• малая емкость (лишь экспериментальные твердотельные накопители имеют емкость 1 Тб и больше, в продаже доступны NAND SSD до 250 Гб);
• более высокая чувствительность к некоторым эффектам, например, внезапной потере питания, магнитным и электрическим полям;
• ограниченное количество циклов перезаписи: обычная флеш-память позволяет записывать данные до 100 тыс. раз, более дорогостоящие виды памяти — до 5 млн раз;
  медленная скорость записи (для флеш-памяти).

Код: Выделить всё

http://ru.wikipedia.org/wiki/Твердотельный_накопитель

[Админ]

Но похоже эта информация уже устарела:

Intel начала производство SSD-накопителей X18-M и X25-M объемом 160 гигабайт, (16.89 KiB) Просмотров: 232

Intel выпустила 160-гигабайтные твердотельные накопители
Компания Intel начала производство SSD-накопителей X18-M и X25-M объемом 160 гигабайт, сообщает InformationWeek. 80-гигабайтные модели этих накопителей поступили в производство в сентябре текущего года.

160-гигабайтный твердотельный накопитель Intel X25-M выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе, X18-M - в 1,8-дюймовом. Они предназначены для установки как в мобильные, так и в настольные компьютеры.

Скорость чтения данных 160-гигабайтных SSD-накопителей Intel составляет 250 мегабайт в секунду, скорость записи - 70 мегабайт в секунду. С компьютером X18-M и X25-M соединяются через интерфейс SATA. Срок службы накопителей составляет 1,2 миллиона часов.

Одновременно Intel выпустила SSD-накопитель X25-E Extreme. Он предназначен для установки в серверы, системы хранения данных и высокопроизводительные рабочие станции. Емкость X25-E Extreme составляет 32 и 64 гигабайта, срок службы - два миллиона часов.

Впервые 160-гигабайтный твердотельный накопитель Intel был анонсирован в марте текущего года. SSD-накопители Intel X18-M и X25-M были анонсированы в августе 2008 года.

В настоящее время максимальная емкость серийного SSD-накопителя составляет 256 гигабайт. Неделю назад Toshiba анонсировала 512-гигабайтный SSD-накопитель, который будет представлен в начале 2009 года.

Код: Выделить всё

http://lenta.ru/news/2008/12/23/ssd/

[Админ]

И анализ дисков Intel от Ф-центра. Приведем описание и выводы - за подробным описанием можно обратиться по ссылке.

Введение
Еще совсем недавно, буквально год назад использование флеш-памяти в качестве основного накопителя для компьютера было уделом лишь энтузиастов да немногих узкоспециализированных промышленных компьютеров. Причин тому было много: малый объем, низкие скорости линейных операций, очень высокие, по сравнению с жесткими дисками, стоимость хранения, неудобный интерфейс (напомню, в качестве накопителей использовались карты Compact Flash, подключаемые как PATA-накопители через переходники). Но резкое снижение цен на Flash-память привело к тому, что в последний год наблюдается бум выпуска SSD (Solid State Drive) – твердотельных накопителей, выполненных в форм-факторе стандартных 2,5-дюймовых жестких дисков и оснащенных интерфейсом SATA.

Причинами столь высокого интереса стали очень и очень привлекательные преимущества, которыми обладают накопители на флеш-памяти по сравнению с привычными жесткими дисками, в которых информация хранится на магнитных пластинах. В этот набор достоинств входят:

• очень малое время доступа к данным;
• постоянная скорость при любой последовательности выборки данных, поскольку все ячейки равноправны, как следствие скорость случайного чтения сравнима со скоростью последовательных операций;
• полное отсутствие движущихся частей, а значит минимальный (нулевой) уровень шума;
• высокая устойчивость к вибрационным нагрузкам;
• малое энергопотребление.

Но, как мы знаем, нет ничего идеального в нашем мире, и к указанным преимуществам прилагаются и определенные недостатки:

• малая, по сравнению с жесткими дисками, скорость линейных операций;
• высокая стоимость хранения данных;
• срок службы ограничивается определенным количеством циклов перезаписи ячеек.

Еще полгода назад, когда мы на примере первых SSD от Samsung подробно говорили о достоинствах и недостатках накопителей этого типа в сравнении с другими, рынок SSD практически не существовал – первенцы только-только появлялись в продаже. Летом выбор стал шире, но все равно не очень уж и велик: на рынке «толкалось» множество мелких производителей, но ему явно не хватало крупных игроков. И они не замедлили появиться: в августе на проходящем в Америке очередном IDF компания Intel озвучила в полный голос свои внушительные планы по выпуску твердотельных накопителей. Причем было заявлены как "быстрые" модели, предназначенные для серверного рынка, так и "массовые". И не было причин сомневаться в успешной реализации этих планов: компания Intel славится своей репутацией, и, если уж берётся за что-нибудь, то доводит это до логического завершения в виде выпуска внушающими уважение партиями. Тем более, что у этого гиганта электронной индустрии давно есть свое, совместное с компанией Micron, производство флеш-памяти типа "NAND". Приятно удивляли заявленные скорости: даже для массовых накопителей на более дешевой и медленной многоуровневой MLC-памяти заявлялись скорости 250 МБ/с на чтении и 70 МБ/с на записи. Появление игроков такого масштаба с очень интересными предложениями в секторе быстро развивающихся и перспективных продуктов предсказать было несложно. Остается лишь посочувствовать компаниям меньшего уровня: скорее всего сейчас на рынке начнется активная война на выживание, примеры которой мы уже неоднократно видели, вспомните историю развития жестких дисков или времена активного развития процессоров для настольных компьютеров. В итоге, скорее всего, уже в ближайшее время на рынке останутся лишь наиболее крупные компании, имеющие собственное производство Flash-памяти (Intel, Samsung, Toshiba…), в то время как все остальные будут вытеснены в такие узкие сегменты, как совсем уж недорогая продукция и очень специфические устройства под строго определенные задачи. Мы же, как пользователи, в результате этой битвы получим значительное снижение цен на устройства, что не может не радовать.

Ну что ж, прошло совсем немного времени, и компания Intel сдержала свое обещание: в наших руках находится Intel X25-M – твердотельный накопитель массовой серии, объемом 80 ГБ и форм-фактора 2,5".

Подведение итогов
Десятиканальная архитектура взаимодействия контроллера с чипами, хороший процессор с эффективными алгоритмами и буферная память позволили создать компании Intel очень и очень высокопроизводительный накопитель в лице X25-M. Наши искренние аплодисменты этой компании – их стараниями гадкий утенок с хорошими задатками, на которого были так похоже первые SSD, превратился в пускай еще молодого, но уже лебедя. И это при том, что X25-M построен на многоуровневой MLC-памяти, которая заметно дешевле одноуровневых SLC-чипов, отличаясь от них меньшими скоростями записи и меньшим сроком службы.

Да, скоростные возможности этого 2,5"-дюймового твердотельного накопителя таковы, что он легко будет обгонять массивы RAID0 из нескольких дисков, являющиеся на текущий момент одним из немногих способов заметно повысить производительность дисковой подсистемы компьютеров, при этом выгодно отличаясь от них как энергопотреблением, так и размерами. Пожалуй, на долю массивов (кроме совсем уж многодисковых) остаются лишь роли хранилищ данных с избыточностью записываемой информации и те случаи, когда требуется одновременное сочетание высоких скоростей и больших объемов.

У жестких дисков осталось лишь весьма небольшое количество достоинств, по сравнению с SSD: низкая стоимость хранения информации, большие объемы накопителей и пока чуть большая скорость записи. Почему пока? Да потому что для экстремальной серии накопителей на SLC-памяти X25-E, появление которой ожидается в самое ближайшее время, заявлена скорость записи 170 МБ/с. А вот жестких же дисков с такой же скоростью записи в ближайшем будущем как-то не ожидается.

Что же касается объема хранимой информации, то в данном вопросе SSD весьма заметно отстают от жестких дисков, хотя и пытаются сократить этот разрыв. В то время как объем нашего героя составляет 80 ГБ, а в течение четвертого квартала этого года компания Intel обещает представить 160-ГБ модель, 2,5-дюймовые жесткие диски всех производителей уже достигли 320 ГБ, и выходят на рубеж 500 ГБ, в то время как 3,5-дюймовые диски собираются от рубежа 1 ТБ шагнуть еще дальше.

Впрочем, вопрос объема неразрывно связан со стоимостью накопителей. А в данном аспекте твердотельные накопители отличаются от жестких дисков далеко не в лучшую сторону: за высокие скорости и малое время доступа приходится расплачиваться по весьма дорогой таксе. Если технически увеличить объем SSD несложно, взяв большой корпус и большое количество чипов памяти, то вот стоимость такого изделия составит весьма внушительную сумму. Судите сами, В то время как для жестких дисков стоимость хранения гигабайта уже упала до четырех рублей за гигабайт для 3,5-дюймовых моделей и семи – для 2,5-дюймовых, флеш-память остается весьма дорогой. Так, отпускная стоимость 80-ГБ Intel X25-M составляет 595 долларов, а это значит, что для пользователей стоимость гигабайта будет составлять около двухсот рублей. Впрочем, положительный прогресс в данном вопросе явно налицо, а запас "места" для маневра, определяемый себестоимостью чипов, у производителей явно есть. Так что нам остается лишь дождаться начала ценовых войн, после чего пожать их плоды. Ну а пока же рисуется вполне логичная картина: сравнительно маленькие, но очень быстрые твердотельные накопители используются там, где действительно важна скорость работы и не так уж и критичны объем и стоимость, в то время как привычные жесткие диски хранят на себе основную массу данных и работают основными накопителями в тех случаях, где их скорости явно хватает.

Пожалуй, лишь одна характеристика осталась для нас действительно невыясненной на практике, и именно она тревожит больше всего, как и полагается неизвестности. Так что же все-таки со сроком службы у SSD? Сколько времени прослужит тот же X25-M в дорогом ноутбуке, высокопроизводительной рабочей станции или сервере? На сколько в действительности хватит пользователям десяти тысяч операций перезаписи, гарантированных для современной MLC-памяти, даже при отличной работе алгоритмов уменьшения износа? А сколько прослужит в высоконагруженном сервере модель на SLC-чипах, с их ста тысячами гарантированных записей в ячейку, ведь серверы порой получают весьма значительный поток операций записи? В общем, в этой теме еще достаточно вопросов без ответа, требующих дальнейшего подробного изучения.

И все же, хотелось бы завершить обзор на положительной ноте. Intel X25-M обеспечивает недостижимо малые для жестких дисков и многих предшествующих SSD время доступа к данным и демонстрирует столь же великолепную производительность на операциях со случайной адресацией (причем не только на чтении, но и на записи), подкрепляя это очень высокой скоростью линейного чтения и вполне достаточной скоростью записи. В общем, на небосклоне высокопроизводительных накопителей загорелась новая, и очень яркая звезда. И мы обещаем вам обязательно еще раз уделить ей свое пристальное внимание.

Код: Выделить всё

http://www.fcenter.ru/online.shtml?articles/hardware/hdd/25058

[Zhenya]

SSD только начинают свой путь. Пока ничего лучшего отличительного для себя в них я не вижу. Единственный плюс - это использование подобных накопителей в качестве доп. подгружаемых дисков, так как исходя из описаний у SSD явное преимущество в скорости записи.

[Админ]

У них много достоинств:
1. Отсутствие механических подвижных частей.
2. Скорость доступа и поиска информации гораздо выше.
3. Скорость записи.
4. Низкое энергопотребление и отсутствие шума.
5. Большой потенциал технологии по наращиванию всех параметров, в отличии от HDD.

Принципиальными отличиями являются - новый подход к хранению данных, технологии работы.
Спасибо.

[Zhenya]

1.Скорость доступа и поиска информации гораздо выше
2. Низкое энергопотребление и отсутствие шума
3.Большой потенциал технологии по наращиванию всех параметров, в отличии от HDD

По первому, конечно скорость выше, но ведь и обработка HDD зависит от параметров компьютера. Мой персональный компьютер делает дефрагментацию 200 гб диска за 40-50 минут. Как и поиск информации происходит тоже в очень быстрой скорости. И все благодаря процессору.
По второму, самый большой шум компьютера исходит от систем охлаждения: куллер и вентилятор системного блока питания. Вот если бы их как-то приглушить, тогда действительно было бы тихо. А жесткий диск можно и зафиксировать хорошенько, благо уже вышло очень много удобных кейсов, которые решают эту проблему.
По третьему, отметьте, что HDD еще не объявляло об достижении предела в наращиваний памяти, а это значит, что иметь дома петафлопс не загарами.

[Админ]

ведь и обработка HDD зависит от параметров компьютера

Нет, скорость работы шины не зависит от параметров конкретного компьютера. Более мощный ближе подходит к пороговому значению, менее мощный - использует не весь канал.

что HDD еще не объявляло об достижении предела в наращивания памяти, а это значит, что иметь дома петафлопс не загарами

Думаю, что уже за горами. При наличии более экономичной и эффективной технологии, устаревшая технология не имеет потенциала к развитию.

А жесткий диск можно и зафиксировать хорошенько

Для пользователя это может действительно не столь значимый параметр, но важен его суть - отсутствие шума из-за отсутствия подвижных частей. В потенциале большая надежность и сохранность информации. Что очень важно для тех, кто хранит не объемами, но важную информацию.

сравнительно маленькие, но очень быстрые твердотельные накопители используются там, где действительно важна скорость работы и не так уж и критичны объем и стоимость, в то время как привычные жесткие диски хранят на себе основную массу данных и работают основными накопителями в тех случаях, где их скорости явно хватает.

Если реализуется данный сценарий развития ситуации и SSD войдут в нашу жизнь, то следующим этапом будет отказ от HDD.

Спасибо.

[Админ]

Kingston: новый бренд на рынке SSD?
25.12.2008
Согласно сообщению тайваньского IT-ресурса The Digitimes, известный производитель продуктов памяти компания Kingston Technology с января 2009 года планирует начал поставок твердотельных дисков (SSD) под собственной торговой маркой. Точнее сказать, SSD диски с маркировкой Kingston станут плодом совместного брендингового партнёрства с компанией Intel.

По словам Дэйвида Суна (David Sun), соучредителя Kingston, в настоящий момент Kingston не планирует налаживать полностью самостоятельное производство твердотельных накопителей, и главная причина кроется в том, что пакет технологий для производства SSD требует значительных затрат на приобретение ряда патентных прав. Таким вход на рынок SSD для Kingston будет базироваться на принципе, уже используемом компанией при выпуске карт памяти и флэш-накопителей на NAND-флэше, ибо политика "двойного брендинга" в паре с Intel является наиболее безопасной и надёжной стратегией.

Ожидается, что первыми твердотельными продуктами, поставляемыми Kingston в рамках сотрудничества с Intel, станут производительные SSD накопители для high-end сегментов корпоративных и брендовых ПК, при этом объёмы месячных поставок составят порядка 10 тысяч накопителей.

Код: Выделить всё

http://www.3dnews.ru/news/kingston_novii_brend_na_rinke_ssd/

[Zhenya]

Рынок не заставил себя долго ждать и отреагироал на SDD новой технологией.

[Zhenya]

Qimonda будет делать память из алмазов, (22.49 KiB) Просмотров: 229

Qimonda будет делать память из алмазов
Немецкая компания Qimonda AG представила технологию, которая позволяет использовать углеродные элементы в качестве памяти.

В технологии должны быть задействованы углеродные элементы, например, углеродные нанотрубки или алмазы — они выступают в качестве энергонезависимой памяти. Согласно недавним исследованиям, при облучении импульсным лазером углеродные элементы изменяют свое состояние: диэлектрики (например, алмазы) приобретают электропроводящие свойства. Специалисты из Qimonda подтвердили, что это также возможно при обработке углеродных элементов импульсами тока.

Слой из алмазных частиц толщиной в 8-60 нм располагается между двумя вольфрамовыми электродами. Следует сказать, что вообще-то алмаз не является электропроводником. Но, оказывается, при определенных условиях он может получить такие свойства.

Верхний электрод накрывает всю поверхность углеродного материала, площадь нижнего составляет 150 на 350 нм, такой размер соответствует одной ячейке памяти.

Когда импульсы тока подаются на нижний электрод, электрическое сопротивление резко падает, напряжение при этом составляет 1,5 вольта, сила тока — в диапазоне 20-50 мкA (микроампер). Это происходит из-за того, что какая-то часть диэлектрического углеродного материала под воздействием тока превращается в электропроводника и образует проводящий «мост» между электродами.

Сила тока, при которой сопротивление падает, зависит от площади нижнего электрода. Если его диаметр равен 150 нм, углеродные элементы получают электропроводящие свойства даже при воздействии импульсов тока силой в 5 мкA, напряжение — 1,5 вольта.

Время, требуемое для перехода углерода из состояния диэлектрика в электропроводник, составляет от нескольких наносекунд до нескольких десятков наносекунд. Однако при подаче импульсов тока с напряжением 5,5 вольт время отклика будет уже около 175 наносекунд. "В большинстве случаев время отклика зависит от емкости электрода", - говорят специалисты из Qimonda.

Чтобы превратить углерод обратно в диэлектрик, необходимо более сильное воздействие током, чем требовалось для превращения углерода в электропроводник. Время воздействия — 1 нс.

Углеродня память является чрезвычайно надежной. Электрическое сопротивление в состоянии включения/выключения существенно не изменяется, даже если операции считывания повторялись 2,3 x 1013 раз при напряжении 0,1 вольта и температуре 75°C.

Однако, есть моменты, которые необходимо учитывать. Если напряжение импульса тока слишком высоко — на уровне 10 вольт, площадь углерода, который приобретает электропроводящие свойства, окисляется или газифицируется, превращаясь в дырку, таким образом, вернуть углерод в первоначальное состояние уже не представляется возможным.

Кроме того, существуют проблемы и с применением углеродов-электропроводников, таких как углеродные нанотрубки или графен. Если делать память на основе этих материалов, для изменения их состояния потребуется напряжение по меньшей мере 8 вольт. Кроме того, сила подаваемого тока также должна быть выше — для изменения состояния одной ячейки памяти диаметром в несколько десятков нанометров понадобится несколько десятков микроампер. Тогда получится, что при компактном расположении ячеек памяти плотность тока будет просто огромной: от нескольких сотен мегаампер на кв.см до 1ГA/cм2.

К тому же, несмотря на то, что ячейка памяти, сделанная на основе электропроводящих углеродов, показывает замечательные свойства при первой записи информации, однако уже после второй записи показатели электрического сопротивления, соответствующие состояниям включения/выключения, значительно падают, а во время четвертой записи между ними уже практически нет никакой разницы. Разработчики из Qimonda объясняют это тем, что «вольфрам, используемый в электродах, и углеродный материал взаимодействуют между собой и образуют карбид вольфрама».

Несмотря на некоторые сложности, уже сегодня понятно, что на основе нового материала могут создаваться запоминающие устройства следующего поколения.

Код: Выделить всё

http://itnews.com.ua/45766.html

[Zhenya]

Представляю сколько будут стоить носители памяти на подобной технологии. . .

[Админ]

Представляю сколько будут стоить носители памяти на подобной технологии

Недорого. Это ведь не алмазы, а углеродные материалы, которые по химическому составу близки к алмазам, но не по характеристикам, которые привлекают в бриллиантах.

Несмотря на некоторые сложности, уже сегодня понятно, что на основе нового материала могут создаваться запоминающие устройства следующего поколения.

Вывод, сделанный автором статьи абсолютно непонятен и не следует из текста...

Спасибо.

[Админ]

Вот дополнение к предыдущей информации:

Что придет на смену флэш-памяти?
22.12.2008 [10:00], Александр Бакаткин
Современная флэш-память практические не отстает по темпам развития от интегральных микросхем, например, центральных процессоров – постоянно осуществляется переход на новые технологии изготовления, позволяя создать все более миниатюрные устройства, постоянно снижается стоимость чипов, увеличивается информационная емкость накопителей и пр. Однако развитие флэш-памяти имеет свои ограничения, и согласно оценкам специалистов, к 2012 году будет достигнут предел миниатюризации микросхем – в качестве верхней планки называется 20-нм техпроцесс.

Что же готовят ученые и исследователи в качестве замены привычной сегодня флэш-памяти? Среди возможных кандидатов на эту роль называют память на основе фазовых переходов, так называемая race-track-память, впрочем, есть и очередной новичок, который может сменить «флэш» на троне наиболее популярных устройств хранения информации. Речь пойдет о памяти на основе графена – тонких «листов» углерода толщиной всего лишь в несколько атомов.

Графен, (20.76 KiB) Просмотров: 246

На данный момент исследователи «научились» формировать листы углеродные структуры, толщина которых составляет десять атомных слоев, и подобные структура размещаются на кремниевой подложке. Отметим, что осаждение атомов углерода осуществляется из газовой фазы. Как сообщают разработчики, профессор Джеймс Тур (James Tour) из университета Райса и его коллеги, эксперименты стартовали более года назад, однако первую конкретную информацию о проделанной работе исследователи опубликовали совсем недавно.

Среди основных достоинств указанной технологии значится не только возможность создания крайне миниатюрных ячеек памяти, но и крайне незначительные токи, проходящие через ячейку памяти в ее «выключенном» состоянии. Это позволяет создавать ячейки памяти, способные хранить значительное количество информации – сейчас разработчики смогли создать флэш-память на основе многоуровневых ячеек, способные хранить до трех бит информации. В будущем, можно будет создавать гораздо более вместительные устройства, что повысит емкость накопителей будущего поколения.

Впрочем, и остальные характеристики на уровне: возможность достижения высочайших скоростей доступа к память, до 1 или 10 наносекунд, что сравнимо с аналогичными показателями для SRAM-памяти, и даже превосходит их; возможность работы в значительно более широком диапазоне температур (до двухсот градусов по шкале Цельсия); способность работы в жестких условиях под воздействием радиации. Последний факт особенно важен в случае аэрокосмической электроники, где устройства должны выдерживать значительные нагрузки – приходится применять сложные системы защиты, которые в случае применения новейшей памяти можно будет упростить.

Код: Выделить всё

http://www.3dnews.ru/news/chto_pridet_na_smenu_flesh_pamyati/

[Админ]

Micron и Sun анонсировали флэш-память с миллионом циклов записи
21.12.2008 [15:35], Александр Харьковский
Компания Micron Technology заявила, что в результате сотрудничества с Sun Microsystems ей удалось разработать технологию производства одноуровневых ячеек (single-level cell, SLC) NAND флэш-памяти, обладающих ресурсом в миллион циклов записи, что на порядок превышает характеристики памяти предыдущего поколения. Партнеры считают, что их достижения смогут преодолеть некоторое недоверие к твердотельным накопителям корпоративного уровня на базе NAND-флэш памяти, основывавшееся, прежде всего, на ограниченном количестве циклов записи-стирания, составлявшем для SLC-ячеек предыдущего поколения около 100 тыс.

В настоящее время Micron начала производство 32-Гбит чипов Enterprise NAND, а начало массового выпуска намечено на первый квартал 2009 г. Компания планирует также представить в начале следующего года версии NAND флэш-памяти корпоративного класса с SLC и MLC ячейками на базе 34-нм техпроцесса.

Код: Выделить всё

http://www.3dnews.ru/news/micron_i_sun_anonsirovali_flesh_pamyat_s_millionom_tsiklov_zapisi/